Поиск по Новостям электроники
« 2017 « Декабрь
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
05.06.2007 /Микросхемы памяти STK17TA8 ? интеграция 1Mbit nvSRAM-памяти с RTC

Компания Simtek начала выпуск STK17TA8 – микросхемы, объединившей в едином корпусе 1Mbit (128Kx8) nvSRAM-памятис многофункциональными часами реального времени (RTC). Как известно,nvSRAM-память представляет собой быструю статическую RAM-памятьс запоминающими энергонезависимыми элементами, выполненными по технологии QuantumTrap, в каждой ячейке памяти для сохранения данных при отсутствии напряжения питания.

SRAM-память гарантирует быстрый доступ к данными короткое время циклов чтения/записи, обеспечивая простоту использования и неограниченную износоустойчивость ячеек памяти. При детектировании падения напряжения питания, данные в STK17TA8 автоматически переносятся из SRAM-ячеекв энергонезависимые ячейки памяти (операция STORE). При восстановлении номинального напряжения питания, сохранённые данные автоматически восстанавливаются в SRAM-ячейках (операция RECALL). Обе операции, RECALL и STORE, можно контролировать также и программно.

Часы реального времени STK17TA8 поддерживают точный отсчет времени и переключение дат благодаря программируемому высокостабильному генератору. Функция «Alarm» программируется для однократного или регулярного срабатывания с заданной периодичностью (минуты, часы, дни). Функции сторожевого таймера так же является программируемыми.

  • энергонезависимая статическая RAM-память
  • функции часов реального времени (RTC, Watchdog Timer, Clock Alarm, Power Monitor)
  • конденсатор или батарея для питания RTC
  • Включение автоматического сохранения в STK17TA8длительность циклов чтения/записи и доступа: 25ns или 45ns
  • неограниченное число циклов чтения/записи
  • автоматическое сохранение данных при пропадании напряжения питания
  • аппаратный и программный контроль режима сохранения данных
  • автоматическое восстановление данных в SRAM-ячейки при подаче напряжения питания
  • неограниченное число циклов восстановления данных
  • 200 тыс. циклов автоматического сохранения
  • период сохранности данных в энергонезависимых ячейках не менее20 лет
  • напряжение питания: 3V (+20%/-10%)

Микросхемы nvSRAM-памяти производятся в корпусеSSOP48–300 для температурных диапазонов 0°C…+70°C (STK17TA8-RF25 и STK17TA8-RF45) и −45°C…+85°C (STK17TA8-RF25I и STK17TA8-RF45I).

STK17TA8 - 1Mbit nvSRAM-памяти и RTC в одном корпусе


По материалам сайта Радио ДЕЛАНЕТ (http://radio.delanet.ru)


Последние новости Подпишитесь на RSS канал
DS3065WP - запоминающее устройство SRAM объемом 8МБ

Cо встроенными часами реального времени [Читать дальше...]