Поиск по Новостям электроники
« 2010 « Июль
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
Последние новости Подписка на RSS канал
Компания Atmel переводит ИС флэш-памяти DataFlash AT45DB011B емкостью 1 Мбит на технологию 0.13 мкм

BR25Hxx0 - новое семейство микросхем SPI-совместимой EEPROM-памяти


M25PX32 - Serial Flash память с двойным входом/выходом.


MR1A16A - модуль 2-Мегабитной MRAM-памяти от Freescale Semiconductor


Самые точные часы реального времени в корпусе SO с возможностями энергонезависимого ОЗУ


DS28DG02 - высокоинтегрированная ИС запоминающего устройства с аналогово-цифровыми функциями


Atmel представила первое в промышленности 1 Мбит-ое последовательное ЭСППЗУ в 8-выводном корпусе TSSOP

FM1105 и FM1106 ? элементарные ячейки FRAM-памяти на 1bit


STK17TA8 ? интеграция 1Mbit nvSRAM-памяти с RTC


austriamicrosystems выпускает 3-килобитные блоки EEPROM-памяти

Модуль FRAM-памяти от Ramtron для эксплуатации при температурах до + 125С
FM25L04-GA - модуль FRAM-памяти объёмом 4 Кбит с напряжением питания 3 В и доступом по SPI-интерфейсу - успешно прошёл сертификацию на соответствие требованиям стандарта AEC-Q100 Grade 1 и может эксплуатироваться в "автомобильном" диапазоне температур от -40С до +125С. Для него гарантируется сохранность данных в течение 9000 часов при такой чрезвычайно высокой температуре. [Читать дальше...]

10.05.2007 Микросхемы и модули памяти типа DDR3 от компании Hunix первыми прошли аттестацию у Intel - Компания Hynix Semiconductor, Inc. сообщает об первой, среди утройств этого типа, успешной аттестации микросхем и модулей памяти типа DDR3, проведённой компанией Intel.

10.04.2007 MirrorBit SPI - Flash-память с рекордной частотой SPI-шины - Компания Spansion подготовила очередную новинку - самую быстродействующую в отрасли Flash-память MirrorBit SPI объёмом 128Mbit с SPI-интерфейсом, способным работать на частоте 104MHz. Микросхема, выпускаемая по технологии MirrorBit(R) с нормами 90nm, поможет снизить стоимость конечных изделий за счет более экономичного последовательного интерфейса, не уступая по ёмкости своим аналогам.