28.07.2010 /Дискретные компоненты
Низковольтные диоды Шоттки на основе карбида кремния
 Компания ROHM объявила о разработке карбид-кремниевых диодов Шоттки (ДШ) нового поколения, которые обладают меньшим значением потерь при переключении и повышенным значением допустимого напряжения, чем у кремниевых ДШ. Кроме этого, серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A имеет преимущество перед другими карбид-кремниевыми ДШ доступными на рынке по прямому напряжению и сопротивлению открытого канала.
В области силовой электроники, потери при преобразовании возникающие в традиционных кремниевых полупроводниковых приборах становятся все большей проблемой, что обусловливает поиск альтернативных материалов. Карбид кремния стал наиболее перспективным материалом из-за низкого значения потерь при переключении.
Компания ROHM проводила исследования в данной области в течение нескольких лет, начав с успешной разработки прототипа полевого транзистора на основе карбида кремния в 2004 году и продолжив силовыми модулями и диодами Шоттки. На основании отзывов заказчиков в 2005 году для диодов Шоттки на основе карбида кремния был выполнен ряд изменений и улучшений. В результате была разработана комплексная схема производства компонентов на основе карбида кремния, а также была приобретена компания-производитель высококачественных пластин карбида кремния для обеспечения бесперебойных поставок материала.
Серия карбид-кремниевых диодов Шоттки SCS110A обладает значением времени восстановления (trr) 15 нс, что значительно меньше, чем у традиционных кремниевых быстровосстанавливающихся диодов (35-50 нс). В связи с этим, потери при восстановлении сокращаются на 2/3, а также уменьшается нагрев прибора. Кроме этого, прибор функционирует более стабильно при изменении температурных условий, чем кремниевый быстровосстанавливающийся диод, что упрощает задачу теплоотвода.
По сравнению с карбид-кремниевыми ДШ конкурентов, данная серия имеет уменьшенный на 15% размер кристалла, что наряду с температурными характеристиками, значениями рабочего сопротивления и прямого напряжения (VF=1.5V при 10A) делает SCS110A более интересным для различных применений. Компанией ROHM также была решены многие проблемы, связанные с массовым производством приборов на основе карбида кремния, такие как однородность формирования барьера Шоттки и охранных колец высокого сопротивления без использования высокотемпературных процессов, что позволяет иметь полный цикл собственного производства. Доступность: В настоящее время доступны OEM количества Основные свойства серии SCS110A -
Ультра-низкое значение обратного заряда восстановления (Qrr) обеспечивает высокоскоростное включение -
Стабильные температурные характеристики -
trr (время восстановления) не зависит от изменения температуры Сравнительная диаграмма включения: Кремниевый быстровосстанавливающийся диод и диод Шоттки на основе карбида кремния Электрические характеристики | Серия | VRM | VR | IO | IFSM | Tj | Tstj | VF(V) | IR(µA) | trr (nsec) | Условия | | (V) | (V) | (A) | (A) | | | typ. | IF(A) | max. | VR(V) | typ. | | SCS110A series | 600 | 600 | 10 | 40 | 150 | -55 +150 | 1,5 | 10 | 2 | 600 | 15 | IF=10A, VR=400V di/dt=350A/µsec |
По материалам сайта Rainbow Technologies (http://www.rtcs.ru)
|
|
- радиодетали
- справочник
- форум
- блог
- приборы
- eeDigest
- datasheets
