Поиск по Новостям электроники
« 2010 « Июль
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 

 
- радиодетали  |  - справочник  |  - форум  |  - блог  |  - приборы  |  - eeDigest  |  - datasheets
09.03.2010 /Дискретные компоненты Нормально закрытые силовые транзисторы, выполненные по GaN технологии
Компания Efficient Power Conversion (EPC) представила семейство нормально закрытых силовых транзисторов, выполненных по GaN технологии на кремниевой подложке. Транзисторы рассчитаны на напряжение от 40 В до 200 В. Сопротивление «сток-исток» в открытом состоянии от 4 мОм до 100 мОм. Компоненты, выполненные по данной технологии, значительно превосходят по характеристикам традиционные кремниевые МОП-транзисторы. Цена за изделие между $0.80 и $5.00 в партии 1000 штук.

По материалам сайта Паяльник (http://cxem.net)


Последние новости Подпишитесь на RSS канал
МОП-транзисторы со сверхнизким сопротивлением

Компания International Rectifier представила линейку HEXFET силовых МОП-транзисторов со сверхнизким сопротивлением [Читать дальше...]