| Пн | Вт | Ср | Чт | Пт | Сб | Вс |
| | | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | | 27 | 28 | 29 | | | | |
|
|
|
09.03.2010 /Дискретные компоненты
Нормально закрытые силовые транзисторы, выполненные по GaN технологии
 Компания Efficient Power Conversion (EPC) представила семейство нормально закрытых силовых транзисторов, выполненных по GaN технологии на кремниевой подложке. Транзисторы рассчитаны на напряжение от 40 В до 200 В. Сопротивление «сток-исток» в открытом состоянии от 4 мОм до 100 мОм. Компоненты, выполненные по данной технологии, значительно превосходят по характеристикам традиционные кремниевые МОП-транзисторы. Цена за изделие между $0.80 и $5.00 в партии 1000 штук.
По материалам сайта Паяльник (http://cxem.net)
|
|
|
|
- радиодетали
- справочник
- форум
- блог
- приборы
- eeDigest
- datasheets
