16.02.2007 /Дискретные компоненты
Карбид-кремниевые диоды Шоттки семейства thinQ! 2G
Компания Infineon Technologies в 2006 году представила новое поколение диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC). Ее новое поколение диодов семейства thinQ! 2G совершило значительный рывок по улучшению характеристик в сравнении с предыдущими поколениями. Напомним основные положительные моменты технологии производства с применением карбида кремния: - SiC обладает более высокой электрической прочностью по сравнению с обычным кремнием, что позволяет при меньших размерах кристалла достигать высоких рабочих напряжений; - удается как минимум вдвое увеличить максимально допустимые токи и снизить нагрев кристалла; - значительно увеличивается перегрузочная способность изделия, что повышает ее привлекательность в области активной коррекции коэффициента мощности для импульсных источников питания; - процессы утечки и обратной перезарядки перехода практически отсутствуют, емкость перехода и заряд включения уменьшены в несколько раз; - себестоимость производства на основе карбида кремния гораздо ниже аналогичного кремниевого при сопоставимых параметрах максимальных напряжения и тока. 
Таким образом, семейство thinQ! 2G дает в руки дизайнеров новый инструмент повышения надежности и экономической выгоды от применения диодов Шоттки на основе карбида кремния, благодаря повышению эффективности их работы, снижению габаритов теплоотводов и площади печатной платы. Основные характеристики диодов Шоттки (SiC) семейства thinQ! 2G.
Наименование | VRRM | IF | IF,SM | VF | IR | QC | CT | Ptot | RthJC | Корпус | SDB10S30 | 300V | 10A | 36A | 1.5V | 200uA | 23nC | 600pF | 65W | 2.3K/W | TO220-3-45 | SDB20S30 | 300V | 20A | 36A | 1.5V | 200uA | 23nC | 600pF | 65W | 2.3K/W | TO220-3-45 | SDP10S30 | 300V | 10A | 36A | 1.5V | 200uA | 23nC | 600pF | 65W | 2.3K/W | TO220-3-1 | SDP20S30 | 300V | 20A | 36A | 1.5V | 200uA | 23nC | 600pF | 65W | 2.3K/W | TO220-3-1 | SDT10S30 | 300V | 10A | 36A | 1.5V | 200uA | 23nC | 600pF | 65W | 2.3K/W | TO220-2-2 | IDD04S60C | 600V | 4A | 32A | 1.7V | 50uA | 8nC | 20pF | 37W | 4.1K/W | TO252-3 | IDT04S60C | 600V | 4A | 32A | 2V | 50uA | 8nC | 20pF | 43W | 3.6K/W | TO220-2 | IDT05S60C | 600V | 5A | 42A | 2V | 70uA | 12nC | 30pF | 55W | 2.7K/W | TO220-2 | IDT06S60C | 600V | 6A | 49A | 2V | 80uA | 15nC | 35pF | 63W | 2.4K/W | TO220-2 | IDT08S60C | 600V | 8A | 59A | 2V | 100uA | 19nC | 50pF | 75W | 2K/W | TO220-2 | IDT10S60C | 600V | 10A | 84A | 2V | 140uA | 24nC | 60pF | 100W | 1.5K/W | TO220-2 | IDT12S60C | 600V | 12A | 98A | 2V | 160uA | 30nC | 70pF | 115W | 1.3K/W | TO220-2 | IDT16S60C | 600V | 16A | 118A | 2V | 200uA | 38nC | 80pF | 136W | 1.1K/W | TO220-2 | SDB06S60 | 600V | 6A | 21.5A | 1.5V | 200uA | 21nC | 20pF | 57.6W | 2.6K/W | TO220-3-45 | SDD04S60 | 600V | 4A | 12.5A | 1.7V | 200uA | 13nC | 10pF | 36.5W | 4.1K/W | TO252-3-1 | SDT02S60 | 600V | 2A | 4.1A | 1.8V | 100uA | 4.6nC | 5.2pF | 15W | 10K/W | TO220-2 | SDT04S60 | 600V | 4A | 12.5A | 1.7V | 200uA | 13nC | 10pF | 36.5W | 4.1K/W | TO220-2 | SDT05S60 | 600V | 5A | 18.5A | 1.5V | 200uA | 14nC | 16pF | 43W | 3.5K/W | TO220-2 | SDT06S60 | 600V | 6A | 21.5A | 1.5V | 200uA | 21nC | 20pF | 57.6W | 2.6K/W | TO220-2 | SDT08S60 | 600V | 8A | 26A | 1.5V | 300uA | 24nC | 26pF | 65W | 2.3K/W | TO220-2-2 | SDT10S60 | 600V | 10A | 31A | 1.5V | 350uA | 29nC | 33pF | 75W | 2K/W | TO220-2 | SDT12S60 | 600V | 12A | 36A | 1.5V | 400uA | 30nC | 45pF | 88.2W | 1.7K/W | TO220-2 |
В области разработок полупроводниковых приборов по технологии карбида кремния Infineon Technologies является первопроходцем.
По материалам сайта Радио ДЕЛАНЕТ (http://radio.delanet.ru)
|
- радиодетали
- справочник
- форум
- блог
- приборы
- eeDigest
- datasheets
